昆泰芯磁性传感器磁性开关解决方案

磁传感器的发展过程 

第一代：Hall Effect Sensor--霍尔效应传感器 

电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转，在磁场方向上形成附加的横向电场，即霍尔电场纵向磁场感应。 

第二代：AMR(Anisotropic Magneto Resistance)Sensor--各向异性磁电阻传感器 

单磁层器件、平行磁场感应、工作场范围窄。

第三代:GMR(Giant Magneto Resistance) Sensor--巨磁电阻传感器 

电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射。

第四代:TMR(Tunneling Magneto Resistance) Sensor--隧道磁电阻传感器 

MR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义 

具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则涌过--低电阻，否则不通过--高电阻) 

室温条件下，TMR的最大电阻变化率(R/R)可达500%以上 

优势： 功耗低 灵敏度/分辨率高 工作范围宽 工作温度范围大 高频响，可达GHZ。 

 

源泰推荐的昆泰芯霍尔正是采用最新第四代TMR隧道磁电阻传感器，具有超高灵敏度（远距离磁场检测）、低温度漂移和超低功耗等特性。

 昆泰芯的霍尔传感器采用3D霍尔技术，支持多个方向磁感应。昆泰芯霍尔采用最新第四代TMR隧道磁电阻传感器，具有超高灵敏度（远距离磁场检测）、低温漂移和超低功耗等特性。 

 

昆泰芯的磁传感器产品广泛应用于智能生活产品，自动化与机器人产品，以及汽车产品。 

消费类产品应用

工业产品应用