聚辰Flash穿戴类应用（智能手表，手环，儿童手表）

GT25Q64A是64Mb位串行NOR闪存，该阵列被组织成32,768个可编程页面，每个页面256字节。每次最多可编程256字节。页可以4组擦除(1KB扇区擦除)、16组擦除(4KB扇区擦除)、128组擦除(32KB块擦除)、256组擦除(64KB块擦除)或整个芯片擦除(芯片擦除)。该设备使用单个1.65V至3.6V电源，功耗低至1uA待机电流，下电时功耗为0.1µa。所有芯片采用紧凑的封装。 GT25Q64A支持标准串行外设接口(SPI)，双/四路I/O SPI，四路外设接口(QPI)以及双传输速率(DTR):串行时钟，芯片选择，串行数据I/ 0 (DI)， I/ 01 (DO)， I/O2 (/WP)和I/O3 (/HOLD)。支持高达133MHz的SPI时钟频率，允许双I/O的等效时钟速率266MHz (133MHz x 2)和Quad I/O的532MHz (133MHz x 4)，当使用快速读取双/Quad I/O指令时。这些传输速率可以超过标准的异步8位和16位并行闪存。连续读取模式允许高效的内存访问只需8个时钟的指令开销就可以读取24位地址，从而实现真正的XIP(就地执行)操作。 保持引脚，写保护引脚和可编程写保护，具有顶部或底部阵列控制，提供进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID和SFDP寄存器，一个64位唯一序列号和三个1024字节的安全寄存器。

ETOX：技术源于Intel，采用的是浮栅隧穿技术，缺点主要是编程擦除时间长，光罩层次多达35层，外围电路占空间大，晶元面积有效利用率低，功耗高等，因此成本高。 

 SONOS：技术源于Cypress，虽然光罩层次24-26层，擦写时间短，但因为原材料采用氮化硅，在高温下易丢失数据，可靠性低，一般应用于小容量产品，且工作温度不超过85度。 

 NORD：技术完全国内自主技术，结构上类似两个ETOX组合，光罩层次24-26层，擦写速度快，晶元面积有效利用率高，因此可以在采用90nm制程的情况下，同样大容量的芯片完全可以做与40nmETOX芯片相同尺寸，甚至更小，且不受国外技术壁垒限制。在擦除次数上，可达到20万次，完全超过ETOX和SONOS的10万次。工作温度-40度到125度，完全满足车规级要求，稳定性好。

GT25Q64A-S是64Mb位串行NOR闪存，该阵列组织成32,768编程页每页256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以4组擦除(1KB扇区擦除)，16组(4KB扇区擦除)，128组(32KB块擦除)，256组(64KB块擦除)或整片芯片(芯片擦除)，该芯片在2.3V到3.6V下待机电流低到1uA，关电状态下电流为0.1μA。所有芯片都以节省空间的封装。 

GT25Q64A支持标准串行外设接口(SPI)，双/四路I/O SPI，四路外设接口(QPI)以及双传输速率(DTR):串行时钟，芯片选择，串行数据I/ 0 (DI)， I/ 01 (DO)， I/O2 (/WP)和I/O3 (/HOLD)。支持高达133MHz的SPI时钟频率，允许双I/O的等效时钟速率266MHz (133MHz x 2)和Quad I/O的532MHz (133MHz x 4)，当使用快速读取双/Quad I/O指令时。这些传输速率可以超过标准的异步8位和16位并行闪存。连续读取模式允许高效的内存访问只需8个时钟的指令开销就可以读取24位地址，从而实现真正的XIP(就地执行)操作。 

 保持引脚，写保护引脚和可编程写保护，具有顶部或底部阵列控制，提供进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID和SFDP寄存器，一个64位唯一序列号和三个1024字节的安全寄存器。